2SC6017-E
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | 2SC6017-E |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | TRANS NPN 50V 10A TP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.89 |
10+ | $0.781 |
100+ | $0.5991 |
500+ | $0.4736 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 360mV @ 250mA, 5A |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | TP |
Serie | - |
Leistung - max | 950 mW |
Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 200 @ 1A, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 10 A |
Grundproduktnummer | 2SC6017 |
2SC6017-E Einzelheiten PDF [English] | 2SC6017-E PDF - EN.pdf |
TRANS NPN 50V 10A TPFA
BIP NPN 35MA 3.5V FT=14G
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
TRANS NPN 200V 15A TO3P
TRANS NPN 50V 10A TPFA
TRANS NPN 230V 15A TO3P
TRANS NPN 600V 1A MSTM
BIP NPN 5A 30V
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() 2SC6017-Eonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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